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BSP135H6433XTMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 1,140 |
| 100+ | € 0,884 |
| 500+ | € 0,728 |
| 1000+ | € 0,592 |
| 5000+ | € 0,543 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSP135H6433XTMA1
Bestellnummer3227616
ProduktpaletteSIPMOS
Auch bekannt alsBSP135 H6433, SP001058592
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id120mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand25ohm
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.4V
Verlustleistung1.8W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für BSP135H6433XTMA1
4 Produkte gefunden
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
1.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
25ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00039