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BSS214NWH6327XTSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.106 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,238 |
| 10+ | € 0,163 |
| 100+ | € 0,0847 |
| 500+ | € 0,0771 |
| 1000+ | € 0,0752 |
| 5000+ | € 0,0543 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS214NWH6327XTSA1
Bestellnummer2709852
ProduktpaletteOptiMOS 2
Auch bekannt alsBSS214NW H6327, SP000917560
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.106ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.950mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 2
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- N-channel OptiMOS™2 small signal transistor
- Enhancement mode
- Super logic level (2.5V rated)
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
1.5A
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.106ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
950mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 2
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033