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BSS84PH6327XTSA2
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS84PH6327XTSA2
Bestellnummer1056526
ProduktpaletteSIPMOS Series
Auch bekannt alsBSS84P H6327, SP000929186
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,200 |
| 10+ | € 0,0991 |
| 100+ | € 0,0734 |
| 500+ | € 0,0658 |
| 1000+ | € 0,0581 |
| 5000+ | € 0,0448 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS84PH6327XTSA2
Bestellnummer1056526
ProduktpaletteSIPMOS Series
Auch bekannt alsBSS84P H6327, SP000929186
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id170mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand8ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung360mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteSIPMOS Series
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Das Modell BSS84P H6327 von Infineon ist ein p-Kanal-Anreicherungs-SIPMOS-Kleinsignaltransistor (Logikpegel) in SOT-23-Bauform zur Oberflächenmontage. Der Baustein ist dv/dt- und Avalanche-fähig.
- Für Kfz-Anwendungen gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- Drain/Source-Spannung (Vds): -60V
- Gate/Source-Spannung: ± 20V
- Dauer-Drainstrom (Id): -170mA
- Verlustleistung (Pd): 360mW
- Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C
- Geringer Durchlasswiderstand: 8 Ohm bei Vgs = -4.5V
Anwendungen
Power-Management, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte, Industrie, Fahrzeugelektronik
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
170mA
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
360mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
8ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
SIPMOS Series
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für BSS84PH6327XTSA2
4 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000033