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BSZ033NE2LS5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 0.0027 ohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | € 0,894 |
| 100+ | € 0,622 |
| 500+ | € 0,488 |
| 1000+ | € 0,429 |
| 5000+ | € 0,358 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSZ033NE2LS5ATMA1
Bestellnummer3155100
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsBSZ033NE2LS5, SP001288158
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds25V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0027ohm
Bauform - TransistorTSDSON-FL
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2V
Verlustleistung30W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TSDSON-FL
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
30W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
25V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0027ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSZ033NE2LS5ATMA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0005
Produktnachverfolgung