BSZ100N06LS3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.008 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,180 |
| 10+ | € 0,832 |
| 100+ | € 0,648 |
| 500+ | € 0,549 |
| 1000+ | € 0,447 |
| 5000+ | € 0,401 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BSZ100N06LS3 G ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET für 60V, der für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen optimiert ist, wie sie in Servern, Desktop-Rechnern und Tablet-Ladegeräten verwendet werden. Dank deutlich reduzierter Gate-Ladung und Ausgangsladung wird ein hoher Systemwirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte erreicht. Der OptiMOS™-Leistungs-MOSFET ist ideal geeignet für hohe Schaltfrequenzen und DC/DC-Wandler.
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
Anwendungen
Power-Management, Alternative Energien, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
20A
PG-TSDSON
10V
50W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
60V
0.008ohm
Oberflächenmontage
1.7V
8Pin(s)
OptiMOS Series
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSZ100N06LS3GATMA1
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat