CY62138FV30LL-45ZAXI

Der Speicherbaustein CY62138FV30LL-45ZAXI 0 ist ein leistungsstarker statischer RAM-Speicher im CMOS-Format, der als 256K Wörter à 8 Bit organisiert ist. Dieser Baustein verwendet ein fortschrittliches Schaltungsdesign, das eine äußerst geringe Stromaufnahme im aktiven Modus bewirkt. Er ist ideal zum Bereitstellen von More Battery Life™ (MoBL®) in tragbaren Anwendungen, wie Mobiltelefonen. Zudem verfügt er über eine automatische Abschaltfunktion, die den Stromverbrauch deutlich reduziert. Im Standby-Modus ist der Stromverbrauch des deselektierten Bausteins reduziert. Zum Schreiben auf dem Baustein werden der Chip-Enable- und der Write-Enable-Eingang auf LOW gesetzt. Daten an den acht I/O-Pins werden dann an den Ort geschrieben, der an den Adresspins spezifiziert wird. Zum Lesen aus dem Speicher müssen sich Chip Enable und Output Enable im LOW-Zustand befinden, während Write Enable in den HIGH-Zustand gezwungen wird. Unter diesen Bedingungen werden die Inhalte des Speicherorts, der durch die Adresspins spezifiziert wird, an den I/O-Pins angezeigt. Die acht Eingangs- und Ausgangspins werden in einen hochimpedanten Zustand versetzt, wenn der Baustein deselektiert wird, die Ausgänge deaktiviert werden oder ein Schreibvorgang ausgeführt wird.

• Sehr hohe Geschwindigkeit: 45ns
• Großer Spannungsbereich: 2.2V bis 3.6V
• Pinkompatibel mit CY62138CV25/30/33
• Äußerst geringe Standby-Stromaufnahme: typ. 1µA
• Äußerst geringe Stromaufnahme im aktiven Modus: typ. 1.6mA bei f = 1MHz
• Einfache Speichererweiterung mit low-aktivem CE1, CE2 und low-aktivem OE
• Automatische Abschaltung im deselektierten Zustand
• CMOS-Technologie (komplementärer Metalloxid-Halbleiter) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
• 90nm-Prozesstechnologie
• Temperaturbereich: -40°C bis 85°C