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F411MR12W3M1HB11BPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF411MR12W3M1HB11BPSA1
Bestellnummer4694659
ProduktpaletteEasyPACK Series
Auch bekannt alsF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Technisches Datenblatt
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF411MR12W3M1HB11BPSA1
Bestellnummer4694659
ProduktpaletteEasyPACK Series
Auch bekannt alsF4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationFourPack
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id75A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.016ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins50Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
F411MR12W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 75A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 95°C
- Repetitive peak drain current is 150A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 10.8mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 75A
- Total gate charge is 0.223µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.045µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
FourPack
Dauer-Drainstrom Id
75A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.016ohm
Anzahl der Pins
50Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
EasyPACK Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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