SiC (Siliziumkarbid)-MOSFET

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Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
C3M0075120J
C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, C3M™ SiC-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)

2773496

Siliziumkarbid-MOSFET, C3M™ SiC-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 30A 1.2kV 0.075ohm 15V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2V 7Pin(s) 113.6W 150°C - -
C3M0120090D
C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247

2630825

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 23A 900V 0.12ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 97W 150°C C2M Series -
C2M0045170P
C2M0045170P - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus

2893480

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 Plus

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Eins n-Kanal 72A 1.7kV 0.045ohm 20V TO-247 Plus Durchsteckmontage 2.6V 4Pin(s) 520W 150°C C2M Series -
C3M0280090D
C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247

2630827

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 11.5A 900V 0.28ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 54W 150°C C2M Series -
NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

3265484

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 98A 1.2kV 0.02ohm 20V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2.7V 7Pin(s) 468W 175°C - AEC-Q101
NTHL080N120SC1A
NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247

3528502

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 31A 1.2kV 0.08ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.7V 3Pin(s) 178W 175°C - -
NTHL060N090SC1
NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247

3367856

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 46A 900V 0.06ohm 15V TO-247 - 2.7V 3Pin(s) 221W 175°C - -
FF6MR12W2M1B70BPSA1
FF6MR12W2M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

3755140

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

INFINEON

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Halbbrücke n-Kanal 200A 1.2kV 0.00563ohm 15V Module - 4.5V 38Pin(s) - 150°C CoolSiC Trench Series -
FF11MR12W1M1B70BPSA1
FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

3755139

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

INFINEON

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Halbbrücke n-Kanal 100A 1.2kV 0.0113ohm 15V Module - 4.5V 18Pin(s) - 150°C CoolSiC Trench Series -
SCT2450KEC
SCT2450KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 10A, 1.2kV, 0.45 Ohm, 18V, 4V

2345469

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 10A, 1.2kV, 0.45 Ohm, 18V, 4V

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Eins n-Kanal 10A 1.2kV 0.45ohm 18V TO-247 Durchsteckmontage 4V 3Pin(s) 85W 175°C - -
SCT2080KEC
SCT2080KEC - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V

2345465

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 35A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 4V

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Eins n-Kanal 35A 1.2kV 0.08ohm 18V TO-247 Durchsteckmontage 4V 3Pin(s) 179W 150°C - -
C3M0065090J
C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

2630833

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 35A 900V 0.065ohm 15V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2.1V 7Pin(s) 113W 150°C - -
C3M0065100J
C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

2749950

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 35A 1kV 0.065ohm 15V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2.1V 7Pin(s) 113.5W 150°C C3M Series -
C2M0045170D
C2M0045170D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

2630835

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 72 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 72A 1.7kV 0.045ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.6V 3Pin(s) 520W 150°C C2M Series -
SCT2H12NYTB
SCT2H12NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V

2762593

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 4A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V

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Eins n-Kanal 4A 1.7kV 1.15ohm 18V TO-268 (D3PAK) Oberflächenmontage 2.8V 2Pin(s) 44W 175°C - -
C2M0160120D
C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247

2630830

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 19A 1.2kV 0.16ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.6V 3Pin(s) 125W 150°C C2M Series -
C2M0040120D
C2M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

2630829

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 60A 1.2kV 0.04ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.6V 3Pin(s) 330W 150°C C2M Series -
FF11MR12W1M1B11BOMA1
FF11MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

2771412

Siliziumkarbid-MOSFET, EasyDual-Modul, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, Module

INFINEON

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Halbbrücke n-Kanal 100A 1.2kV 0.011ohm - Module - 4.5V - 20mW 150°C CoolSic Series -
C3M0065100K
C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, C3M SiC, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247

2672013

Siliziumkarbid-MOSFET, C3M SiC, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 35A 1kV 0.065ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 4Pin(s) 113.5W 150°C - -
C3M0075120K
C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V

2709521

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V

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Eins n-Kanal 30.8A 1.2kV 0.075ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.5V 4Pin(s) 119W 150°C C3M Series -
C3M0065090D
C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247

2630832

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 36A 900V 0.065ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 125W 150°C - -
C3M0030090K
C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247

2843640

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 63A 900V 0.03ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.4V 4Pin(s) 149W 150°C C3M Series -
SCT3030ALGC11
SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

2678783

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal 70A 650V 0.03ohm 18V TO-247N Durchsteckmontage 5.6V 3Pin(s) 262W 175°C - -
FS45MR12W1M1B11BOMA1
FS45MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

2986380

Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, n-Kanal, 25 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, Module

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Vollbrücke n-Kanal 25A 1.2kV 0.045ohm - Module - 4.5V - 20mW 150°C EasyPACK CoolSiC Series -
F423MR12W1M1B11BOMA1
F423MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

3267806

Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

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Vollbrücke Vierfach n-Kanal 50A 1.2kV 0.0225ohm 15V Module - 4.5V - - 150°C EasyPACK Series -