Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

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Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending Sort Acending Sort Decending
C3M0075120J
C3M0075120J - Siliziumkarbid-MOSFET, C3M™ SiC-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)

2773496

Siliziumkarbid-MOSFET, C3M™ SiC-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 30A 1.2kV 0.075ohm 15V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2V 7Pin(s) 113.6W 150°C - -
C3M0030090K
C3M0030090K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247

2843640

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 63 A, 900 V, 0.03 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 63A 900V 0.03ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.4V 4Pin(s) 149W 150°C C3M Series -
F423MR12W1M1B11BOMA1
F423MR12W1M1B11BOMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

3267806

Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, Module

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Vollbrücke Vierfach n-Kanal 50A 1.2kV 0.0225ohm 15V Module - 4.5V - - 150°C EasyPACK Series -
SCTWA35N65G2V
SCTWA35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL

3764235

 
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Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, HiP247LL

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Eins n-Kanal 45A 650V 0.045ohm 20V HiP247LL - 3.2V 3Pin(s) 240W 200°C - -
SCTW40N120G2V
SCTW40N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247

3748722

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, HiP247

STMICROELECTRONICS

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Eins n-Kanal 36A 1.2kV 0.07ohm 18V HiP247 - 2.45V 3Pin(s) 278W 200°C - -
SCTW70N120G2V
SCTW70N120G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247

3577228

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, HiP247

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Eins n-Kanal 91A 1.2kV 0.021ohm 18V HiP247 - 2.45V 3Pin(s) 547W 200°C - -
FF6MR12W2M1B70BPSA1
FF6MR12W2M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

3755140

 
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Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module

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Halbbrücke n-Kanal 200A 1.2kV 0.00563ohm 15V Module - 4.5V 38Pin(s) - 150°C CoolSiC Trench Series -
AIMW120R035M1HXKSA1
AIMW120R035M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247

3768881

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, TO-247

INFINEON

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Eins n-Kanal 52A 1.2kV 0.035ohm 18V TO-247 - 4.5V 3Pin(s) 228mW 175°C CoolSiC Trench Series -
NVHL040N120SC1
NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247

3464026

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 60A 1.2kV 0.039ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.97V 3Pin(s) 348W 175°C - AEC-Q101
C3M0065090J
C3M0065090J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

2630833

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal 35A 900V 0.065ohm 15V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2.1V 7Pin(s) 113W 150°C - -
C3M0120090D
C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247

2630825

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 23A 900V 0.12ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 97W 150°C C2M Series -
SCT3080KLGC11
SCT3080KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

2680148

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 31A, 1.2kV, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal 31A 1.2kV 0.08ohm 18V TO-247N Durchsteckmontage 5.6V 3Pin(s) 165W 175°C - -
C3M0065100K
C3M0065100K - Siliziumkarbid-MOSFET, C3M SiC, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247

2672013

Siliziumkarbid-MOSFET, C3M SiC, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 35A 1kV 0.065ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 4Pin(s) 113.5W 150°C - -
SCT2750NYTB
SCT2750NYTB - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V

2772413

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 6A, 1.7kV, 0.75 Ohm, 18V, 2.8V

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Eins n-Kanal 6A 1.7kV 0.75ohm 18V TO-268 (D3PAK) Oberflächenmontage 2.8V 2Pin(s) 57W 175°C - -
C3M0075120K
C3M0075120K - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V

2709521

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30.8A, 1.2kV, 0.075 Ohm, 15V, 2.5V

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Eins n-Kanal 30.8A 1.2kV 0.075ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.5V 4Pin(s) 119W 150°C C3M Series -
SCT20N120
SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

2807234

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

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Eins n-Kanal 20A 1.2kV 0.169ohm 20V HiP247 Durchsteckmontage 3.5V 3Pin(s) 175W 200°C - -
C2M0160120D
C2M0160120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247

2630830

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 19A 1.2kV 0.16ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 2.6V 3Pin(s) 125W 150°C C2M Series -
C3M0280090D
C3M0280090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247

2630827

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11.5 A, 900 V, 0.28 ohm, TO-247

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1+ € 3,70 10+ € 3,63 100+ € 3,55 500+ € 3,48 1000+ € 3,40

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Eins n-Kanal 11.5A 900V 0.28ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 54W 150°C C2M Series -
C3M0065090D
C3M0065090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247

2630832

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 36 A, 900 V, 0.065 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 36A 900V 0.065ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 2.1V 3Pin(s) 125W 150°C - -
IMZ120R090M1HXKSA1
IMZ120R090M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247

3223686

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247

INFINEON

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Eins n-Kanal 26A 1.2kV 0.09ohm 18V TO-247 Durchsteckmontage 4.5V 4Pin(s) 115W 175°C CoolSiC Series -
NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

3265484

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

ON SEMICONDUCTOR

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Eins n-Kanal 98A 1.2kV 0.02ohm 20V TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontage 2.7V 7Pin(s) 468W 175°C - AEC-Q101
SCTH35N65G2V-7AG
SCTH35N65G2V-7AG - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

3764233

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, H2PAK

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Eins n-Kanal 45A 650V 0.045ohm 20V H2PAK - 3.2V 7Pin(s) 208W 175°C - -
AIMW120R045M1XKSA1
AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247

3500936

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 52A 1.2kV 0.045ohm 15V TO-247 Durchsteckmontage 4.5V 3Pin(s) 228W 175°C CoolSiC Series AEC-Q101
NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

3464004

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal 58A 1.2kV 0.04ohm 20V TO-247 Durchsteckmontage 3V 4Pin(s) 319W 175°C - -
FF11MR12W1M1B70BPSA1
FF11MR12W1M1B70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

3755139

 
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Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, Module

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Halbbrücke n-Kanal 100A 1.2kV 0.0113ohm 15V Module - 4.5V 18Pin(s) - 150°C CoolSiC Trench Series -