Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

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SCT20N120
SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

2807234

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

STMICROELECTRONICS

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Eins n-Kanal - 20A 1.2kV 0.169ohm - HiP247 3Pins 20V 3.5V - 175W 200°C -
SCT3017ALGC11
SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

2947063

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

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Eins n-Kanal - 118A 650V 0.017ohm - TO-247N 3Pins 18V 5.6V - 427W 175°C -
C3M0065100J
C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

2749950

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

WOLFSPEED

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Eins n-Kanal - 35A 1kV 0.065ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pins 15V 2.1V - 113.5W 150°C -
MD200HFR120C2S
MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

2986056

Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

STARPOWER

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Halbbrücke Zweifach n-Kanal - 299A 1.2kV 0.0087ohm - Module -Pins 18V 5.6V - -mW 150°C -
IMZ120R140M1HXKSA1
IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247

3223687

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247

INFINEON

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Eins n-Kanal - 19A 1.2kV 0.14ohm - TO-247 4Pins 18V 4.5V - 94W 175°C -
C3M0021120D
C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247

3257419

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247

WOLFSPEED

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Eins n-Kanal - 100A 1.2kV 0.021ohm - - 3Pins 15V 2.5V - 469W 175°C -
SCT3080ALGC11
SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

2678786

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal - 30A 650V 0.08ohm - TO-247N 3Pins 18V 5.6V - 134W 175°C -
NVHL040N120SC1
NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247

3464026

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247

ONSEMI

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Eins n-Kanal - 60A 1.2kV 0.056ohm - TO-247 3Pins 20V 4.3V - 348W 175°C -
NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)

3528497RL

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)

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Eins n-Kanal n-Kanal 19.5A 1.2kV 0.16ohm 0.16ohm TO-263HV (D2PAK) 7Pins 20V 3V 136W 136W 175°C -
G3R45MT17K
G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

3598624

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

GENESIC SEMICONDUCTOR

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- - - 61A 1.7kV 0.045ohm - - 4Pins 15V 2.7V - 438W 175°C -
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)

3582467

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)

INFINEON

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Eins n-Kanal - 4.7A 1.2kV 0.35ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pins 18V 4.5V - 65W 175°C -
SCT3040KLGC11
SCT3040KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V

2680147

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal - 55A 1.2kV 0.04ohm - TO-247N 3Pins 18V 5.6V - 262W 175°C -
SCT3030ARC14
SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247

3241768

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal - 70A 650V 0.03ohm - TO-247 4Pins 18V 5.6V - 262W 175°C -
SCT3080KLHRC11
SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N

3052190

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N

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Eins n-Kanal - 31A 1.2kV 0.08ohm - TO-247N 3Pins 18V 5.6V - 165W 175°C -
NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

3367862

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 112A 900V 0.02ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pins 15V 2.6V - 477W 175°C -
G3R160MT12J
G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)

3598649

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)

GENESIC SEMICONDUCTOR

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Eins n-Kanal - 22A 1.2kV 0.16ohm - - 7Pins 15V 2.69V - 128W 175°C -
BSM400D12P2G003
BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

3573228

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

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Halbbrücke Zweifach n-Kanal - 400A 1.2kV - - Module - - 4V - 2.45kW 150°C -
SCT3030ALGC11
SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

2678783

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal - 70A 650V 0.03ohm - TO-247N 3Pins 18V 5.6V - 262W 175°C -
SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247

3387274

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247

STMICROELECTRONICS

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Eins n-Kanal - 45A 650V 0.045ohm - TO-247 3Pins 20V 3.2V - 240W 200°C -
NTBG040N120SC1
NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)

3463999

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 60A 1.2kV 0.04ohm - TO-263HV (D2PAK) 7Pins 20V 3V - 357W 175°C -
IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 9.8A 1.7kV 0.364ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pins 15V 4.5V - 107W 175°C -
BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

3573231

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

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Halbbrücke Zweifach n-Kanal - 400A 1.2kV -ohm - Module -Pins -V 5.6V - 1.57kW 150°C -
BSM400C12P3G202
BSM400C12P3G202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

3573227

Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

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Zerhacker n-Kanal - 400A 1.2kV - - Module - - 5.6V - 1.57kW 150°C -
IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

3577330RL

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal n-Kanal 9.8A 1.7kV 0.364ohm 0.364ohm TO-263 (D2PAK) 7Pins 15V 4.5V 107W 107W 175°C -
IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

3500948

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal - 39A 650V 0.048ohm - TO-247 4Pins 18V 4.5V - 125W 150°C -