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F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.0125 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF413MXTR12C1M2QH11BPSA1
Bestellnummer4759605
ProduktpaletteEasyPACK Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 180,260 |
| 5+ | € 161,370 |
| 10+ | € 141,970 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 180,26 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF413MXTR12C1M2QH11BPSA1
Bestellnummer4759605
ProduktpaletteEasyPACK Series
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationFourPack
KanaltypVierfach n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0125ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins22Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung-
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
FourPack
Dauer-Drainstrom Id
60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0125ohm
Anzahl der Pins
22Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Kanaltyp
Vierfach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
-
Produktpalette
EasyPACK Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001