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F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 30 A, 650 V, 0.0394 ohm, 10 V, 4.45 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Bestellnummer4555823
ProduktpaletteEasyPACK CoolMOS Series
Auch bekannt alsF4-35MR07W1D7S8_B11/A, SP005537983
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 54,720 |
| 5+ | € 51,920 |
| 10+ | € 49,110 |
| 50+ | € 49,100 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerF435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Bestellnummer4555823
ProduktpaletteEasyPACK CoolMOS Series
Auch bekannt alsF4-35MR07W1D7S8_B11/A, SP005537983
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id30A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0394ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.45V
Verlustleistung20mW
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEasyPACK CoolMOS Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
20mW
Produktpalette
EasyPACK CoolMOS Series
Dauer-Drainstrom Id
30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0394ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.45V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung