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FF17MR12W1M1HB17BPSA1
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, 18 V, 5.15 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF17MR12W1M1HB17BPSA1
Bestellnummer4412427
ProduktpaletteEasyDUAL Series
Auch bekannt alsFF17MR12W1M1H_B17, SP005559517
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 68,610 |
| 5+ | € 65,400 |
| 10+ | € 62,190 |
| 50+ | € 62,170 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 68,61 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF17MR12W1M1HB17BPSA1
Bestellnummer4412427
ProduktpaletteEasyDUAL Series
Auch bekannt alsFF17MR12W1M1H_B17, SP005559517
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0162ohm
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung20mW
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteEasyDUAL Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
20mW
Produktpalette
EasyDUAL Series
Dauer-Drainstrom Id
50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0162ohm
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.24
Produktnachverfolgung