IGB10N60TATMA1

Beim Modell IGB10N60T handelt es sich um einen verlustarmen IGBT in TRENCHSTOP™ und Field-Stop-Technologie. Die TRENCHSTOP™-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TRENCHSTOP-Zelle und Field-Stop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.

• Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce (sat)) für geringere Leitungsverluste
• Geringe Schaltverluste
• Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vce(sat)
• Sehr sanfte und schnelle Erholung der antiparallelen Emitter-gesteuerten Diode
• Sehr robust, temperaturstabil
• Niedrige EMV-Emissionen
• Niedrige Gate-Ladung
• Sehr enge Parameterverteilung
• Höchster Wirkungsgrad - Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
• Hohe Zuverlässigkeit
• 5μs Kurzschlussfestigkeit
• Umweltfreundliches Produkt
• Halogenfrei

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, HLK, Wartung & Reparatur

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.