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IGL65R055D2XUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 22 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGL65R055D2XUMA1
Bestellnummer4732101
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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| 500+ | € 2,730 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGL65R055D2XUMA1
Bestellnummer4732101
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.07ohm
Gate-Ladung, typ.4.7nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.07ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
22A
Gate-Ladung, typ.
4.7nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung