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IGLD65R110D2AUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R110D2AUMA1
Bestellnummer4680828
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLD65R110D2, SP005918714
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 4,350 |
| 10+ | € 3,810 |
| 100+ | € 3,320 |
| 500+ | € 2,990 |
| 1000+ | € 2,780 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R110D2AUMA1
Bestellnummer4680828
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLD65R110D2, SP005918714
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Gate-Ladung, typ.2.4nC
Bauform - TransistorLSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Bauform - Transistor
LSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
14A
Gate-Ladung, typ.
2.4nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung