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IGLR70R200D2SXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R200D2SXUMA1
Bestellnummer4694674
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R200D2S, SP006123208
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,100 |
| 10+ | € 1,500 |
| 100+ | € 1,200 |
| 500+ | € 1,010 |
| 1000+ | € 0,859 |
| 5000+ | € 0,785 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R200D2SXUMA1
Bestellnummer4694674
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R200D2S, SP006123208
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id9.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.24ohm
Gate-Ladung, typ.1.26nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.24ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
9.3A
Gate-Ladung, typ.
1.26nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung