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IGLT65R055D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R055D2ATMA1
Bestellnummer4573847
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R055D2, SP005865971
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R055D2ATMA1
Bestellnummer4573847
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R055D2, SP005865971
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id31A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.066ohm
Gate-Ladung, typ.4.7nC
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins16Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.066ohm
Bauform - Transistor
HDSOP
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
31A
Gate-Ladung, typ.
4.7nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung