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IGLT65R110D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R110D2ATMA1
Bestellnummer4573846RL
Auch bekannt alsIGLT65R110D2, SP005934583
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
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| 500+ | € 1,920 |
| 1000+ | € 1,650 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R110D2ATMA1
Bestellnummer4573846RL
Auch bekannt alsIGLT65R110D2, SP005934583
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Gate-Ladung, typ.2.4nC
Anzahl der Pins16Pin(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
15A
Gate-Ladung, typ.
2.4nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung