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IGP50N60TXKSA1

Name: INFINEON IGP50N60TXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 1832355
Availability: InStock

IGBT, 50 A, 2 V, 333 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)

Date/Lot Code

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIGP50N60TXKSA1

Bestellnummer1832355

Auch bekannt alsIGP50N60T, SP000683046

Technisches Datenblatt

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Produktspezifikationen

HerstellerINFINEON

HerstellerteilenummerIGP50N60TXKSA1

Bestellnummer1832355

Auch bekannt alsIGP50N60T, SP000683046

Technisches Datenblatt

Data Sheet

Dauerkollektorstrom50A

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2V

Verlustleistung333W

Kollektor-Emitter-Spannung, max.600V

Bauform - TransistorTO-220

Anzahl der Pins3Pin(s)

Betriebstemperatur, max.175°C

TransistormontageDurchsteckmontage

Produktpalette-

MSL-

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Produktbeschreibung

Beim Modell IGP50N60T handelt es sich um einen 600V-IGBT-Einzeltransistor ohne antiparallele Diode. Die TRENCHSTOP™-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TRENCHSTOP-Zelle und Field-Stop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.

Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
Low switching losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behavior
Low EMI emissions
Low gate charge
Very tight parameter distribution
Comprehensive portfolio in 600V and 1200V for flexibility of design
High device reliability
±20V Gate to emitter voltage (VGE)
0.45K/W IGBT thermal resistance, junction to case
40K/W IGBT thermal resistance, junction - ambient

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, HLK, Industrie

Technische Spezifikationen

Dauerkollektorstrom

50A

Verlustleistung

333W

Bauform - Transistor

TO-220

Betriebstemperatur, max.

175°C

Produktpalette

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Kollektor-Emitter-Spannung, max.

600V

Anzahl der Pins

3Pin(s)

Transistormontage

Durchsteckmontage

MSL

Technische Dokumente (3)

Application Note EN

Technical Data Sheet EN

Simulation Model EN

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Gesetzgebung und Umweltschutz

Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.

Tarif-Nr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-konform:Ja

RoHS

RoHS-Phthalate-konform:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)

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Produkt-Konformitätszertifikat

Gewicht (kg):.00195

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