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IGT65R055D2XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 31 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 5,030 |
| 100+ | € 4,190 |
| 500+ | € 3,790 |
| 1000+ | € 3,350 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.066ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
31A
Gate-Ladung, typ.
4.7nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Gewicht (kg):.00001
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