IHW30N110R3FKSA1

Beim Modell IHW30N110R3 handelt es sich um einen in Sperrrichtung leitenden IGBT mit monolithischer Body-Diode. Die 3. Generation in Sperrrichtung leitender IGBT wurde so optimiert, dass geringere Schalt- und Leitungsverluste erreicht werden. Dank reduzierter Verlustleistung und sanftem Schaltverhalten wird ein besseres Wärme- und EMI-Verhalten erreicht, wodurch wiederum die Systemkosten gesenkt werden. Der Baustein verfügt über eine leistungsstarke, monolithische Body-Diode mit geringer Durchlassspannung nur für sanfte Kommutierung. Er eignet sich für den Einsatz in Reiskochern und anderen sanftschaltenden Anwendungen.

• Hervorragende Leistung
• Beste Leitungseigenschaften bei VCE(sat) und Vf in dieser Klasse
• Niedrigste Schaltverluste, höchster Wirkungsgrad
• Niedrige EMV-Emissionen dank sanfter Stromabschaltung
• Niedrigste Verlustleistung
• Besseres Wärmemanagement
• Stoßstromfestigkeit
• Niedrige EMI-Filterung ausreichend
• Hochwertige Qualität
• Höchste Zuverlässigkeit bei Stromspitzen
• Sehr enge Parameterverteilung
• Sehr robust, temperaturstabil
• Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten bei VCEsat
• Umweltfreundliches Produkt
• Halogenfrei

Anwendungen

Unterhaltungselektronik, Alternative Energien, Power-Management

Warnungen und Hinweise

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