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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIHW30N160R5XKSA1
Bestellnummer3014248
Auch bekannt alsIHW30N160R5, SP001646684
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
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10+ | € 4,540 |
100+ | € 2,420 |
500+ | € 2,040 |
1000+ | € 2,000 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIHW30N160R5XKSA1
Bestellnummer3014248
Auch bekannt alsIHW30N160R5, SP001646684
Technisches Datenblatt
Dauerkollektorstrom60A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.85V
Verlustleistung263W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.6kV
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
TransistormontageDurchsteckmontage
Produktpalette-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IHW30N160R5XKSA1 is a reverse-conducting IGBT with monolithic body diode. Applications include induction cooking and microwave ovens.
- Collector-emitter voltage is 1600V, DC collector current is 39A(Tc = 100°C )
- Powerful monolithic body diode with low forward voltage
- Very tight parameter distribution
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCE
- Low EMI
- Available in a 3 pin TO-247 package
Technische Spezifikationen
Dauerkollektorstrom
60A
Verlustleistung
263W
Bauform - Transistor
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.85V
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.6kV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Transistormontage
Durchsteckmontage
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536