IKP15N60TXKSA1
IGBT, Universal, 30 A, 2.05 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,910 |
| 10+ | € 1,510 |
| 100+ | € 1,100 |
| 500+ | € 0,915 |
| 1000+ | € 0,767 |
| 5000+ | € 0,732 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IKP15N60T handelt es sich um einen verlustarmen IGBT in TrenchStop®- und Feldstop-Technologie mit antiparalleler Emitter-gesteuerter HE-Diode mit sanfter, schneller Erholung. Die TrenchStop®-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TrenchStop®-Zelle und Feldstop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.
- Sehr niedrige Vce (sat) für geringere Leitungsverluste
- Geringe Schaltverluste
- Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vce(sat)
- Sehr sanfte, schnelle Erholung der antiparallelen Emitter-gesteuerten HE-Diode
- Sehr robust, temperaturstabil
- Niedrige EMMA-Emissionen
- Niedrige Gate-Ladung
- Sehr enge Parameterverteilung
- Höchster Wirkungsgrad - Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
- Hohe Zuverlässigkeit
- 5µs Kurzschlussfestigkeit
- Umweltfreundliches Produkt
- Halogenfrei
Anwendungen
Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, HLK, Industrie
Technische Spezifikationen
30A
130W
TO-220
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
2.05V
600V
3Pin(s)
Durchsteckmontage
-
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat