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IMW65R026M2HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R026M2HXKSA1
Bestellnummer4573830
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMW65R026M2H, SP006051134
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 12,080 |
| 5+ | € 10,550 |
| 10+ | € 9,020 |
| 50+ | € 8,420 |
| 100+ | € 7,810 |
| 250+ | € 7,650 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R026M2HXKSA1
Bestellnummer4573830
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMW65R026M2H, SP006051134
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id64A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.033ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung227W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.033ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
227W
Produktpalette
CoolSiC G2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.010785
Produktnachverfolgung