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IPAN60R650CEXKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPAN60R650CEXKSA1
Bestellnummer2781162
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPAN60R650CE, SP001508816
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,260 |
| 10+ | € 1,050 |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPAN60R650CEXKSA1
Bestellnummer2781162
ProduktpaletteCoolMOS CE
Auch bekannt alsIPAN60R650CE, SP001508816
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id9.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.54ohm
Bauform - TransistorTO-220FP
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung28W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CE
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternativen für IPAN60R650CEXKSA1
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.9A
Bauform - Transistor
TO-220FP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
28W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.54ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001