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IPB200N25N3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB200N25N3GATMA1
Bestellnummer2432726RL
Auch bekannt alsIPB200N25N3 G, SP000677896
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | € 3,850 |
| 100+ | € 3,320 |
| 500+ | € 3,150 |
| 1000+ | € 2,570 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB200N25N3GATMA1
Bestellnummer2432726RL
Auch bekannt alsIPB200N25N3 G, SP000677896
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds250V
Dauer-Drainstrom Id64A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.02ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IPB200N25N3 G handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der mithilfe der führenden OptiMOS™-Technologie hergestellt wird. Dieser MOSFET eignet sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung in 48V-Systemen, DC/DC-Wandlern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Invertern.
- Branchenweit niedrigster Durchgangswiderstand (RDS(ON))
- Äußerst niedriger Qg und Qgd
- Weltweit niedrigste Gütezahl (FOM), MSL1
- Höchster Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Erforderliche Parallelschaltung von Bausteinen minimal
- Umweltfreundlich
- Vereinfachtes Produktdesign
- Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung
- Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Beleuchtung, Audio
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
64A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
250V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.02ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IPB200N25N3GATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00181