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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB80N08S207ATMA1
Bestellnummer2839454
ProduktpaletteOptiMOS
Auch bekannt alsIPB80N08S2-07, SP000219048
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds75V
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand7100µohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS
QualifikationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- OptiMOS®-Leistungstransistor
- n-Kanal, Anreicherungstyp
- Qualifiziert für Kfz-Anwendungen gemäß AEC Q101
- Äußerst niedriger Rds(on)
- 100% Avalanche-getestet
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
75V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
7100µohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPB80N08S207ATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung