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IPD42DP15LMATMA1
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 9 A, 0.3345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD42DP15LMATMA1
Bestellnummer3873726
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsSP005343875, IPD42DP15LM
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,560 |
| 10+ | € 1,050 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD42DP15LMATMA1
Bestellnummer3873726
ProduktpaletteOptiMOS Series
Auch bekannt alsSP005343875, IPD42DP15LM
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.3345ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.5V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.3345ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
Produktnachverfolgung