IPD60R360P7SAUMA1

Infineon erweitert das große Portfolio an 600V-CoolMOS P7 SJ-MOSFET mit der Einführung der verbesserten Ausführung des 4-poligen Standard-TO-247-Gehäuses. Dieses 4-polige TO-247-Gehäuse mit asymmetrischen Anschlussleitungen bietet eine größere Kriechstrecke von 0.54mm zwischen den kritischen Anschlussleitungen und ermöglicht ein reibungsloseres Wellenlötverfahren und Platzeinsparungen auf der Leiterplatte. Durch die zusätzliche Verbindung mit der Quelle (Kelvin-Verbindung), die als Referenz-Potential für die Gate-Treiber-Spannung verwendet wird, werden die Auswirkungen von Spannungsabfällen über die Quelleninduktivität eliminiert, wodurch schnellere Schalttransienten ermöglicht werden, was wiederum zu einer deutlichen Steigerung des Wirkungsgrads führt. Dadurch werden eine verbesserte Nutzung des MOSFET-RDS(on) und Einsparungen bei den Materialkosten erreicht. CoolMOS P7 ist die ausgewogenste Technologie von Infineon, mit einem optimierten Verhältnis zwischen Benutzerfreundlichkeit und höchster Energieeffizienz.