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IPT059N15N3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 155 A, 0.005 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT059N15N3ATMA1
Bestellnummer2480870RL
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Auch bekannt alsIPT059N15N3, SP001100162
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 3,070 |
| 500+ | € 2,590 |
| 1000+ | € 2,450 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPT059N15N3ATMA1
Bestellnummer2480870RL
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Auch bekannt alsIPT059N15N3, SP001100162
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id155A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.005ohm
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 3 Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Der IPT059N15N3ATMA1 ist ein n-Kanal-Leistungs-MOSFET der OptiMOS™3-Familie. Typische Anwendungen umfassen: Gabelstapler, leichte Elektrofahrzeuge (LEV), z. B. E-Scooter, E-Bikes oder Mikrocars, Point-of-Load (PoL), Telekommunikation, E-Sicherung.
- Normaler Pegel, hervorragendes Produkt (FOM) aus Gateladung x RDS(on)
- Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on); Betriebstemperatur: 175°C; PG-HSOF-8-Gehäuse
- Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
- Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung
- Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
- Weniger Parallelschaltung und Kühlung erforderlich; höchste Systemzuverlässigkeit
- Senkung der Systemkosten; ermöglicht ein sehr kompaktes Design
- Drain-Source-Einschaltwiderstand: typ. 5.9 mOhm bei VGS=10V, ID=150A
- Durchgängiger Dioden-Durchlassstrom: 155A bei TC=25°C
- Drain-Source-Durchbruchspannung: 150V bei VGS=0V, ID=1mA
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
155A
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.005ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007