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IPW60R017C7XKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 109 A, 0.017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPW60R017C7XKSA1
Bestellnummer2839474
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPW60R017C7, SP001313542
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 17,110 |
| 5+ | € 14,970 |
| 10+ | € 12,820 |
| 50+ | € 10,680 |
| 100+ | € 9,750 |
| 250+ | € 9,740 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPW60R017C7XKSA1
Bestellnummer2839474
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPW60R017C7, SP001313542
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id109A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.017ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung446W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS C7
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
Diese 600V-CoolMOS™ C7-Leistungstransistoren nutzen die revolutionäre CoolMOS-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Sie wurden entwickelt in Übereinstimmung mit dem Superjunction (SJ)-Prinzip und eignen sich für den Einsatz in PFC-Stufen und PWM-Stufen (TTF, LLC) für leistungsstarke SNT, z. B. Computing, Server, Telekommunikation, USV und Solar.
- Geeignet für hartes und sanftes Schalten (PFC und leistungsstarke LLC)
- Verbessertes MOSFET-dv/dt-Verhalten bis 120V/ns
- Höherer Wirkungsgrad aufgrund der besten FOM dieser Klasse (RDS(on) *Eoss und RDS(on)*Qg)
- Bester RDS(on)/Gehäuse dieser Klasse
- Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
- Größere Skaleneffekte durch Verwendung in PFC- und PWM-Topologien in der Anwendung
- Höherer dv/dt-Grenzwert ermöglicht ein schnelles Schalten, was zu einem höheren Wirkungsgrad führt
- Ermöglicht einen höheren System-Wirkungsgrad durch niedrigere Schaltverluste
- Lösungen mit höherer Leistungsdichte aufgrund kompakterer Gehäuse
- Höhere Schaltfrequenzen möglich ohne Einbußen beim Wirkungsgrad aufgrund von niedrigem Eoss und Qg
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
109A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
446W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.017ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS C7
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPW60R017C7XKSA1
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4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001