IPW65R080CFDFKSA1

Beim Modell IPW65R080CFD handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit CoolMOS™-Technologie, integrierter Body-Diode mit kurzer Erholzeit und verbesserter Energieeffizienz. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine sanftere Kommutierung und damit durch ein besseres EMI-Verhalten. Der CoolMOS™-MOSFET bietet eine deutliche Reduzierung von Leitungs-, Schalt- und Treiberverlusten, wodurch eine hohe Leistungsdichte und ein hoher Wirkungsgrad für überragende Energieumwandlungssysteme gewährleistet werden. Die neue Generation moderner Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs ermöglicht kompaktere und leichtere AC/DC-Netzteile mit einem höheren Wirkungsgrad als je zuvor.

• Begrenztes Spannungsüberschwingen während der harten Kommutierung
• Vereinfachtes Produktdesign
• Geringe Schaltverluste aufgrund von niedriger Qrr bei repetitiver Kommutierung an der Body-Diode
• di/dt- und dV/dt-Verhalten mit Selbstbegrenzung
• Niedriger Qoss
• Kürzere Verzögerungen beim Einschalten und Ausschalten

Anwendungen

Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Alternative Energien, LED-Beleuchtung

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Begrenzte Verfügbarkeit