Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | |
---|---|
1+ | € 2,440 |
10+ | € 1,820 |
50+ | € 1,490 |
100+ | € 1,390 |
250+ | € 1,360 |
500+ | € 1,310 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IR2108SPBF ist ein High-Speed-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Halbbrücken-Treiber mit abhängigen, auf High- und Low-Side referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietäre HVIC- und Latch-beständige CMOS-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Pegeln ab 3.3V. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, um das Übersprechen des Treibers zu minimieren. Der potentialfreie Kanal lässt sich zur Ansteuerung eines n-Kanal Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration nutzen, die mit bis zu 600V arbeitet.
- Erdfreier Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb
- Tolerant gegenüber negativen Spannungstransienten (dV/dt-immun)
- Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
- Kompatibel mit 3.3-, 5- und 15V-Logikeingang
- Logik zur Verhinderung von Übersprechen
- Abgestimmte Laufzeiten für beide Kanäle
- High-Side-Ausgang phasengleich mit HIN-Eingang
- Low-Side-Ausgang phasenverschoben mit LIN-Eingang
- Logik- und Stromversorgungsmasse: ± 5V Offset
- Gate-Treiber mit niedrigerem di/dt für bessere Störfestigkeit
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
2Kanäle
Halbbrücke
8Pin(s)
Oberflächenmontage
200mA
10V
-40°C
220ns
-
MSL 1 - unbegrenzt
-
IGBT, MOSFET
NSOIC
Nicht invertierend
350mA
20V
125°C
200ns
-
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische Dokumente (4)
Zugehörige Produkte
5 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat