Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | |
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1+ | € 1,520 |
10+ | € 1,220 |
50+ | € 1,090 |
100+ | € 1,070 |
250+ | € 1,050 |
500+ | € 1,020 |
1000+ | € 1,000 |
2500+ | € 0,981 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
IR2109SPBF ist ein High-Speed-Hochspannungs-Leistungs-MOSFET- und IGBT-Halbbrücken-Treiber mit abhängigen, auf High- und Low-Side referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietäre HVIC- und Latch-beständige CMOS-Technologie ermöglicht eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Pegeln ab 3.3V. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, um das Übersprechen des Treibers zu minimieren. Der potentialfreie Kanal lässt sich zur Ansteuerung eines n-Kanal Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration nutzen, die mit bis zu 600V arbeitet.
- Erdfreier Kanal ausgelegt für Bootstrap-Betrieb
- Tolerant gegenüber negativen Spannungstransienten (dV/dt-immun)
- Unterspannungsabschaltung für beide Kanäle
- Kompatibel mit 3.3-, 5- und 15V-Logikeingang
- Logik zur Verhinderung von Übersprechen
- Abgestimmte Laufzeiten für beide Kanäle
- High-Side-Ausgang phasengleich mit IN-Eingang
- Gate-Treiber mit niedrigerem di/dt für bessere Störfestigkeit
- Durch Ausschalten des Eingangs werden beide Kanäle ausgeschaltet
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
2Kanäle
Halbbrücke
8Pin(s)
Oberflächenmontage
200mA
10V
-40°C
750ns
-
MSL 2 - 1 Jahr
-
MOSFET
SOIC
Nicht invertierend
350mA
20V
125°C
200ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat