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IRF100PW219XKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 203 A, 0.0017 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF100PW219XKSA1
Bestellnummer4695832
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,890 |
| 10+ | € 3,360 |
| 100+ | € 2,960 |
| 500+ | € 2,680 |
| 1000+ | € 2,480 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 3,89 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF100PW219XKSA1
Bestellnummer4695832
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id203A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0017ohm
Bauform - TransistorTO-247
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung341W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
203A
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
341W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0017ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001