IRF1407STRLPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,200 |
| 10+ | € 1,520 |
| 100+ | € 1,100 |
| 500+ | € 1,060 |
| 1000+ | € 0,825 |
| 5000+ | € 0,793 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF1407STRLPBF handelt es sich um einen einfachen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand Rds(on) pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Der Leistungsbaustein zur Oberflächenmontage nimmt Dies bis Größe HEX-4 auf und bietet das höchste Leistungsvermögen und den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand aller bestehenden SMD-Bauformen. Er ist dank niedrigem internen Anschlusswiderstand für Hochstromanwendungen geeignet und kann bei typischer SMD-Anwendung bis zu 2W abgeben.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Wiederholt Avalanche-fähig bis Tjmax
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
100A
TO-263 (D2PAK)
10V
3.8W
175°C
-
Lead (21-Jan-2025)
75V
7800µohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat