Seite drucken
IRF5210STRLPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF5210STRLPBF
Bestellnummer1298529
Auch bekannt alsSP001554020
Technisches Datenblatt
28 118 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,450 |
| 10+ | € 1,680 |
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,440 |
| 1000+ | € 1,270 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 3,45 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF5210STRLPBF
Bestellnummer1298529
Auch bekannt alsSP001554020
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.06ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung3.8W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRF5210STRLPBF ist ein einfacher p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, einer Sperrschicht-Betriebstemperatur von 150°C, einer hohen Schaltfrequenz sowie einer verbesserten wiederholten Avalanche-Fähigkeit. Durch Kombination dieser Merkmale ist dieser FET ein sehr effizienter und zuverlässiger Baustein für einen breiten Anwendungsbereich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- Hohe Schaltfrequenz
- Wiederholt Avalanche-fähig bis Tjmax
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
38A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.8W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.06ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRF5210STRLPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143