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IRF5801TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,169 |
| 9000+ | € 0,166 |
Preiseinheit:Stück (gegurtet auf Rolle - ganze Rolle)
Minimum: 3000
Mehrere: 3000
€ 507,00 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF5801TRPBF
Bestellnummer4318770
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand2.2ohm
Bauform - TransistorTSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.5V
Verlustleistung2W
Anzahl der Pins6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
600mA
Bauform - Transistor
TSOP
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
2.2ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.5V
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000048
Produktnachverfolgung