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IRF60DM206
Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF60DM206
Bestellnummer2781110RL
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Auch bekannt alsSP001561876
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 500+ | € 1,170 |
| 1000+ | € 1,100 |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF60DM206
Bestellnummer2781110RL
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Auch bekannt alsSP001561876
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id130A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0029ohm
Bauform - TransistorDirectFET ME
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.7V
Verlustleistung96W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
Alternativen für IRF60DM206
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
IRF60DM206 is a DirectFET® N-channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V (Min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 2.2mohm (typ, VGS = 10V, ID = 80A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V is 130A (max, ID at TC = 25°C)
- Gate-to-source forward leakage is 100nA/-100nA (max, VGS = 20V/VGS = -20V, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.8ohm (typ, TC = 25°C)
- Turn-on delay time is 17ns (typ, VDD = 30V, TJ = 25°C)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
130A
Bauform - Transistor
DirectFET ME
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
96W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0029ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.7V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET Series
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000256
Produktnachverfolgung