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IRF7469TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 9 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,514 |
| 500+ | € 0,429 |
| 1000+ | € 0,390 |
| 5000+ | € 0,340 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7469TRPBF
Bestellnummer2577169RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001559908
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.012ohm
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung2.5W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9A
Bauform - Transistor
SOIC
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.5W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.012ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung