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IRF9383MTRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0023 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,410 |
| 10+ | € 2,050 |
| 100+ | € 1,690 |
| 500+ | € 1,370 |
| 1000+ | € 1,150 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF9383MTRPBF
Bestellnummer2781122
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001565700
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id22A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0023ohm
Bauform - TransistorDirectFET MX
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung113W
Anzahl der Pins5Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
22A
Bauform - Transistor
DirectFET MX
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
113W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0023ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung