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IRFB7430PBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.001 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB7430PBF
Bestellnummer2253784
Auch bekannt alsSP001551786
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,180 |
| 10+ | € 2,720 |
| 100+ | € 2,260 |
| 500+ | € 1,800 |
| 1000+ | € 1,340 |
Preiseinheit:Stück
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB7430PBF
Bestellnummer2253784
Auch bekannt alsSP001551786
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id195A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.001ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.2V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. It is suitable for use in brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- High-current rating and high-current carrying capability package
- Product qualification according to JEDEC standard
- Softer body-diode compared to previous silicon generation
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
- Increased power density
- Standard pinout allows for drop in replacement
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
195A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.001ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.2V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRFB7430PBF
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00195
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