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IRFB7530PBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB7530PBF
Bestellnummer2406514
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Auch bekannt alsSP001575524
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 2,860 |
| 10+ | € 2,800 |
| 100+ | € 1,510 |
| 500+ | € 1,350 |
| 1000+ | € 1,340 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 2,86 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFB7530PBF
Bestellnummer2406514
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Auch bekannt alsSP001575524
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id195A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.002ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.7V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFB7530PBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der ein verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten bietet. Dieser MOSFET eignet sich für batteriebetriebene Schaltungen, Synchrongleichrichteranwendungen, ORing- und redundante Leistungsschalter sowie Halbbrücken- und Vollbrücken-Topologien.
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbessertes dV/dt- und di/dt-Verhalten der Body-Diode
Anwendungen
Motorantrieb & -steuerung, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
195A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.002ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.7V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET HEXFET Series
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRFB7530PBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00195