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IRFH5010TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.0075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFH5010TRPBF
Bestellnummer2577171RL
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001560282
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorPQFN
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung3.6W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (08-Jul-2021)
Alternativen für IRFH5010TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
IRFH5010TRPBF ist ein einfacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen niedrigen Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<lt/>0.5°C/W) für eine höhere Leistungsdichte und Zuverlässigkeit bietet. Dieser Baustein eignet sich für die sekundärseitige Synchrongleichrichtung und für DC/DC-Brick-Anwendungen. Er ist kompatibel mit bestehenden SMD-Techniken.
- Geringe Leitungsverluste dank niedrigem RDS(ON) (<lt/>9mΩ)
- 100% Rg-getestet für höhere Zuverlässigkeit
- Höhere Leistungsdichte durch flache Bauweise (<lt/>0.9mm)
- Pinbelegung gemäß Industriestandard für herstellerübergreifende Kompatibilität
- MSL1-Qualifizierung für den Einsatz in industriellen Anwendungen (höhere Zuverlässigkeit)
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
13A
Bauform - Transistor
PQFN
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
3.6W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (08-Jul-2021)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001