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IRFHS8342TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.013 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,620 |
| 50+ | € 0,439 |
| 250+ | € 0,287 |
| 1000+ | € 0,177 |
| 2000+ | € 0,173 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRFHS8342TRPBF
Bestellnummer2577166
ProduktpaletteHEXFET
Auch bekannt alsSP001556608
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.013ohm
Bauform - TransistorDFN2020
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.8V
Verlustleistung2.1W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteHEXFET
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
8.8A
Bauform - Transistor
DFN2020
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
2.1W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.013ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.8V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
HEXFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001