IRFR5305TRLPBF

Beim Modell IRFR5305TRLPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.

• Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
• Vollständig Avalanche-fähig
• Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
• Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)

Anwendungen

Fahrzeugelektronik, Power-Management