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IRL60SL216
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL60SL216
Bestellnummer3514440
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Auch bekannt alsSP001558100
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 3,660 |
| 5+ | € 3,590 |
| 10+ | € 3,510 |
| 50+ | € 3,440 |
| 100+ | € 3,370 |
| 250+ | € 3,290 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
€ 3,66 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL60SL216
Bestellnummer3514440
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Auch bekannt alsSP001558100
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id298A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00195ohm
Bauform - TransistorTO-262
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.4V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET HEXFET Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktbeschreibung
IRL60SL216 is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery-powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Maximum power dissipation of 375W
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
298A
Bauform - Transistor
TO-262
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00195ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET HEXFET Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143