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IRL7486MTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 209 A, 0.00125 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL7486MTRPBF
Bestellnummer2577179
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Auch bekannt alsSP001567046
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | € 1,660 |
| 10+ | € 1,290 |
| 100+ | € 1,000 |
| 500+ | € 0,893 |
| 1000+ | € 0,874 |
| 5000+ | € 0,854 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRL7486MTRPBF
Bestellnummer2577179
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Auch bekannt alsSP001567046
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id209A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00125ohm
Bauform - TransistorDirectFET ME
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.5V
Verlustleistung104W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteStrongIRFET Series
Qualifikation-
MSLMSL 2 - 1 Jahr
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
IRL7486MTRPBF is a N channel power MOSFET. Application includes brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters, DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V (min, VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Static drain-to-source on-resistance is 1.0mohm (typ, VGS = 10V, ID = 123A, TJ = 25°C)
- Continuous drain current, VGS at 10V (silicon limited) is 209A (max, TC = 25°C)
- Internal gate resistance is 0.97ohm (typ, TJ = 25°C)
- Forward transconductance is 427S (TJ = 25°C, VDS = 10V, ID = 123A, typ)
- DirectFET® ME package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
209A
Bauform - Transistor
DirectFET ME
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
104W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00125ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.5V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET Series
MSL
MSL 2 - 1 Jahr
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
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