Seite drucken
IRLML6401TRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLML6401TRPBF
Bestellnummer1463267
Auch bekannt alsSP001577044
Technisches Datenblatt
149 696 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,397 |
| 50+ | € 0,230 |
| 250+ | € 0,128 |
| 1000+ | € 0,108 |
| 3000+ | € 0,0824 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
€ 1,98 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLML6401TRPBF
Bestellnummer1463267
Auch bekannt alsSP001577044
Technisches Datenblatt
Kanaltypp-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds12V
Dauer-Drainstrom Id4.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.05ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung4.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.550mV
Verlustleistung1.3W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRLML6401TRPBF handelt es sich um einen einfachen -12V-p-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET, der mit bestehenden Techniken zur Oberflächenmontage kompatibel ist. Dieser MOSFET bietet eine höhere Zuverlässigkeit und eine einfachere Herstellung.
- Halogenfrei
- MSL1-Qualifizierung für den Einsatz in industriellen Anwendungen
- Herstellerübergreifende Kompatibilität
- Umweltfreundlich
- Trench-MOSFET-Technologie
- Gate/Source-Spannung: ± 8V
- Linearer Reduktionsfaktor: 0.01W/°C
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
p-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
4.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
4.5V
Verlustleistung
1.3W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.05ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
550mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.13
Produktnachverfolgung