IRLMS2002TRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | € 0,525 |
| 50+ | € 0,348 |
| 100+ | € 0,253 |
| 500+ | € 0,221 |
| 1500+ | € 0,203 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
The IRLMS2002TRPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The Micro6™ package with its customized lead-frame produces a HEXFET® power MOSFET. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.
- Ultra-low ON-resistance
Anwendungen
Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
6.5A
SOT-23
4.5V
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
20V
0.03ohm
Oberflächenmontage
1.2V
6Pin(s)
HEXFET
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRLMS2002TRPBF
2 Produkte gefunden
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat