IRLR024NTRPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | € 0,377 |
| 500+ | € 0,306 |
| 1000+ | € 0,277 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRLR024NTRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-n-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Logikpegel-Gate-Treiber
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Vollständig Avalanche-fähig
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
n-Kanal
17A
TO-252AA
10V
45W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
55V
0.065ohm
Oberflächenmontage
2V
3Pin(s)
-
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Technische Dokumente (3)
Alternativen für IRLR024NTRPBF
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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